Kinesiska forskare har tagit fram en ny och lovande typ av flashminne.
Forskare vid Fudan-universitetet i Shanghai har utvecklat en potentiellt banbrytande typ av flashminne, rapporterar Tomâs Hardware. Flashminneskretsar och andra icke-flyktiga minnestyper Ă€r normalt mĂ„nga gĂ„nger lĂ„ngÂsammare Ă€n flyktiga minnestyper som DRAM och SRAM, men genom att överge kisel och istĂ€llet anvĂ€nda kol lyckades forskarna ta fram kretsar som skriver data Ă€nnu snabbare.
Kolet i frĂ„ga har formen av grafen, en skiva av kolatomer arrangerade i ett hexagonalt rutnĂ€t som har visat sig ha flera hĂ€pnadsvĂ€ckande egenskaper â nĂ„got som bland annat uppmĂ€rkÂsammades med ett Nobelpris 2010.
Tekniken har fĂ„tt namnet Phase-change Oxide eller Pox, och en skrivcykel tar sĂ„ lite som 400 pikosekunder â upp till 25 gĂ„nger snabbare Ă€n vanligt arbetsminne, som ligger pĂ„ 1â10 nanoÂsekunder. JĂ€mfört med traditionellt flashminne, vars skrivhastighet för enstaka ettor och nollor ligger pĂ„ minst en mikrosekund, handlar det om tusentals gĂ„nger högre hastighet.
I en storskalig lagringskrets finns det sĂ„ klart mĂ„nga andra parametrar som avgör bĂ„de bandbredden och hastigheten pĂ„ smĂ„ slumpÂmĂ€ssiga lĂ€s- och skrivoperationer, och det Ă€r en bra bit kvar till fĂ€rdiga produkter. Forskarna har hittills visat att tekniken Ă€r gĂ„ngbar i enskilda minnesceller och hĂ„ller nu pĂ„ att försöka skala upp den till större strukturer.
#flashminne #forskning #nanoteknik
VÀldigt spÀnnande! Jag minns snacket om grafen nÀr det upptÀcktes, och hur det framstÀlldes som en slags undermaterial som kan göra nÀstan vad som helst i en massa olika sammanhang.
